ЧТЕНИЕ И ЗАПИСЬ В ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМУЮ ПАМЯТЬ
Регистры доступа к энергонезависимой памяти (EEPROM) расположены в пространстве ввода/вывода.
Время записи лежит в диапазоне 2.5-4 mS и зависит от напряжения питания. Это самотактируемая функция которая, однако, позволяет пользователю определить, можно ли записывать следующий байт. Если программа пользователя производит запись в энергонезависимую память, должны быть предприняты некоторые меры предосторожности. При использовании в источнике питания конденсаторов большой емкости, напряжение питания нарастает и спадает достаточно медленно. Это приводит к тому, что процессор некоторое время работает при напряжении питания ниже минимума достаточного для нормальной работы схем тактирования. При этом ЦПУ может совершать нежелательные переходы, попадая на части программы, производящие запись в EEPROM. В таких случаях, для защиты содержимого EEPROM, необходимо использовать внешние схемы формирующие сигнал сброса при уменьшении напряжения питания.
Для защиты от нежелательной записи в EEPROM необходимо следовать некоторым правилам, которые будут рассмотрены ниже, при описании управляющего регистра энергонезависимой памяти.
При записи или чтении EEPROM процессор приостанавливается на 2 машинных цикла до начала выполнения следующей команды.
